SI9945DY
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- 制造商编号：
- SI9945DY
- 制造商：
- VBsemi(台湾微碧)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W(Tc) 类型：双N沟道
- 渠道：
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI9945DY
制造商
VBsemi(台湾微碧)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W(Tc) 类型：双N沟道
漏源电压（Vdss）
60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7A(Tc)
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
28mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
4W(Tc)
类型
双N沟道
包装方式
编带
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注
SI9945DY品牌厂家：VBsemi
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
SI9945DY
型号：SI9945DY
品牌：VBsemi
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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