VSI013N08MS
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- 制造商编号：
- VSI013N08MS
- 制造商：
- Vanguard(威兆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
VSI013N08MS
制造商
Vanguard(威兆)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
80V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
66A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
16mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
83W
类型
N沟道
包装方式
编带
VSI013N08MS 同类别型号
注
VSI013N08MS品牌厂家：Vanguard
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、VSI013N08MS
数据手册PDF。
VSI013N08MS
型号：VSI013N08MS
品牌：Vanguard
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00