RU1H80R
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- 制造商编号：
- RU1H80R
- 制造商：
- Ruichips(锐骏半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.296644 | ￥4.30 |
| 10 | ￥3.660104 | ￥36.60 |
| 30 | ￥3.341834 | ￥100.26 |
| 100 | ￥3.108437 | ￥310.84 |
| 500 | ￥2.875039 | ￥1437.52 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
RU1H80R
制造商
Ruichips(锐骏半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
80A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
12mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
188W
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
RU1H80R品牌厂家：Ruichips
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
RU1H80R
型号：RU1H80R
品牌：Ruichips
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.296644 |
| 10+： | ￥3.660104 |
| 30+： | ￥3.341834 |
| 100+： | ￥3.108437 |
| 500+： | ￥2.875039 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.30