CS1N60A1H
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- 制造商编号：
- CS1N60A1H
- 制造商：
- 华润华晶(华润华晶)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.653107 | ￥3.27 |
| 50 | ￥0.538529 | ￥26.93 |
| 150 | ￥0.481241 | ￥72.19 |
| 500 | ￥0.438274 | ￥219.14 |
| 2500 | ￥0.403901 | ￥1009.75 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CS1N60A1H
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
800mA(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
15Ω @ 400mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
袋装
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注
CS1N60A1H品牌厂家：华润华晶
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、CS1N60A1H
数据手册PDF。
CS1N60A1H
型号：CS1N60A1H
品牌：华润华晶
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.653107 |
| 50+： | ￥0.538529 |
| 150+： | ￥0.481241 |
| 500+： | ￥0.438274 |
| 2500+： | ￥0.403901 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00