SE120120G
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- 制造商编号：
- SE120120G
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.4314 | ￥9.43 |
| 10 | ￥7.787005 | ￥77.87 |
| 30 | ￥6.588188 | ￥197.65 |
| 100 | ￥5.61216 | ￥561.22 |
| 500 | ￥5.442416 | ￥2721.21 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE120120G
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：129A 漏源电压（Vdss）：120V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：185W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
120V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
129A
栅源极阈值电压
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻
6.1mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
185W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
SE120120G品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、SE120120G
数据手册PDF。
SE120120G
型号：SE120120G
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.4314 |
| 10+： | ￥7.787005 |
| 30+： | ￥6.588188 |
| 100+： | ￥5.61216 |
| 500+： | ￥5.442416 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.43