CS1N60A3H
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- CS1N60A3H
- 制造商：
- 华润华晶(华润华晶)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：545
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CS1N60A3H
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：800mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
800mA(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
15Ω @ 400mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
25W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
CS1N60A3H 相关产品
CS1N60A3H 同类别型号
注
CS1N60A3H品牌厂家：华润华晶
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
，可在锐单商城现货采购CS1N60A3H、查询CS1N60A3H代理商；
CS1N60A3H价格批发咨询客服；这里拥有
CS1N60A3H中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CS1N60A3H
替代型号
、CS1N60A3H
数据手册PDF。
CS1N60A3H
型号：CS1N60A3H
品牌：华润华晶
供货：锐单
库存：545 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00