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CS1N60A3H

华润华晶(华润华晶)
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制造商编号:
CS1N60A3H
制造商:
华润华晶(华润华晶)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道
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CS1N60A3H

制造商

华润华晶(华润华晶)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):800mA(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:15Ω @ 400mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

800mA(Tc)

栅源极阈值电压

4V @ 250uA

漏源导通电阻

15Ω @ 400mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

25W(Tc)

类型

N沟道

包装方式

管装

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型号:CS1N60A3H

品牌:华润华晶

供货:锐单

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