CS12N60FA9H
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- 制造商编号：
- CS12N60FA9H
- 制造商：
- 华润华晶(华润华晶)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.092108 | ￥5.09 |
| 10 | ￥4.392763 | ￥43.93 |
| 30 | ￥4.032163 | ￥120.96 |
| 100 | ￥3.68249 | ￥368.25 |
| 500 | ￥3.474872 | ￥1737.44 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CS12N60FA9H
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
12A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
650mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
55W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
CS12N60FA9H 同类别型号
注
CS12N60FA9H品牌厂家：华润华晶
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、CS12N60FA9H
数据手册PDF。
CS12N60FA9H
型号：CS12N60FA9H
品牌：华润华晶
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.092108 |
| 10+： | ￥4.392763 |
| 30+： | ￥4.032163 |
| 100+： | ￥3.68249 |
| 500+： | ￥3.474872 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.09