CS100N08A8
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- 制造商编号：
- CS100N08A8
- 制造商：
- 华润华晶(华润华晶)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：198W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.595072 | ￥3.60 |
| 10 | ￥2.950363 | ￥29.50 |
| 30 | ￥2.677181 | ￥80.32 |
| 100 | ￥2.327509 | ￥232.75 |
| 500 | ￥2.174527 | ￥1087.26 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CS100N08A8
制造商
华润华晶(华润华晶)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：198W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
85V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
100A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
8.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
198W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
CS100N08A8品牌厂家：华润华晶
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、CS100N08A8
数据手册PDF。
CS100N08A8
型号：CS100N08A8
品牌：华润华晶
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.595072 |
| 10+： | ￥2.950363 |
| 30+： | ￥2.677181 |
| 100+： | ￥2.327509 |
| 500+： | ￥2.174527 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.60