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MDD14N25CRH

GN(旌芯半导体)
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制造商编号:
MDD14N25CRH
制造商:
GN(旌芯半导体)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.2A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69.4W 类型:N沟道
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制造商型号

MDD14N25CRH

制造商

GN(旌芯半导体)

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.2A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69.4W 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

250V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

10.2A

栅源极阈值电压

4V @ 250uA

漏源导通电阻

280mΩ @ 5.1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

69.4W

类型

N沟道

包装方式

编带

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MDD14N25CRH

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型号:MDD14N25CRH

品牌:GN

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