MDD14N25CRH
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- 制造商编号：
- MDD14N25CRH
- 制造商：
- GN(旌芯半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.2A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69.4W 类型：N沟道
- 渠道：
库存 ：1729
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MDD14N25CRH
制造商
GN(旌芯半导体)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.2A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：280mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69.4W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
250V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
10.2A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
280mΩ @ 5.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
69.4W
类型
N沟道
包装方式
编带
MDD14N25CRH 同类别型号
注
MDD14N25CRH品牌厂家：GN
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、MDD14N25CRH
数据手册PDF。
MDD14N25CRH
型号：MDD14N25CRH
品牌：GN
供货：锐单
库存：1729 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00