EMF02P02H
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- 制造商编号：
- EMF02P02H
- 制造商：
- EMC(杰力)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
EMF02P02H
制造商
EMC(杰力)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.7mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：69W(Tc) 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
100A(Tc)
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
2.7mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
69W(Tc)
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
EMF02P02H品牌厂家：EMC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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EMF02P02H
型号：EMF02P02H
品牌：EMC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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