FMD5N50E5
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- 制造商编号：
- FMD5N50E5
- 制造商：
- Fortior Tech(峰岹)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：12256
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.027024 | ￥3.03 |
| 10 | ￥2.402568 | ￥24.03 |
| 500 | ￥1.651104 | ￥825.55 |
| 1000 | ￥1.555848 | ￥1555.85 |
| 2500 | ￥1.532509 | ￥3831.27 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FMD5N50E5
制造商
Fortior Tech(峰岹)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
5A
栅源极阈值电压
5V @ 250uA
漏源导通电阻
1.5Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
75W
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
FMD5N50E5品牌厂家：Fortior Tech
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、FMD5N50E5
数据手册PDF。
FMD5N50E5
型号：FMD5N50E5
品牌：Fortior Tech
供货：锐单
库存：12256 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.027024 |
| 10+： | ￥2.402568 |
| 500+： | ￥1.651104 |
| 1000+： | ￥1.555848 |
| 2500+： | ￥1.532509 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.03