SW18N50
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- 制造商编号：
- SW18N50
- 制造商：
- MW(台湾明纬)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.518271 | ￥5.52 |
| 10 | ￥4.491108 | ￥44.91 |
| 50 | ￥3.988454 | ￥199.42 |
| 100 | ￥3.474872 | ￥347.49 |
| 500 | ￥3.168908 | ￥1584.45 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SW18N50
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
18A(Tc)
栅源极阈值电压
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻
300mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
43W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
SW18N50品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
SW18N50
型号：SW18N50
品牌：MW
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.518271 |
| 10+： | ￥4.491108 |
| 50+： | ￥3.988454 |
| 100+： | ￥3.474872 |
| 500+： | ￥3.168908 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.52