SE100150G
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- 制造商编号：
- SE100150G
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.81mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 数量50
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.791144 | ￥7.79 |
| 10 | ￥6.534507 | ￥65.35 |
| 30 | ￥5.835162 | ￥175.05 |
| 100 | ￥5.048399 | ￥504.84 |
| 500 | ￥4.709653 | ￥2354.83 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE100150G
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.81mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 数量50
漏源电压（Vdss）
100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
150A
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
3.81mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
300W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
管装
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注
SE100150G品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、SE100150G
数据手册PDF。
SE100150G
型号：SE100150G
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.791144 |
| 10+： | ￥6.534507 |
| 30+： | ￥5.835162 |
| 100+： | ￥5.048399 |
| 500+： | ￥4.709653 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.79