SW630D
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- 制造商编号：
- SW630D
- 制造商：
- MW(台湾明纬)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96.2W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.216114 | ￥2.22 |
| 10 | ￥1.853711 | ￥18.54 |
| 30 | ￥1.698395 | ￥50.95 |
| 100 | ￥1.543079 | ￥154.31 |
| 500 | ￥1.439535 | ￥719.77 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SW630D
制造商
MW(台湾明纬)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 4.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96.2W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
9A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
400mΩ @ 4.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
96.2W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
SW630D 同类别型号
注
SW630D品牌厂家：MW
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、SW630D
数据手册PDF。
SW630D
型号：SW630D
品牌：MW
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.216114 |
| 10+： | ￥1.853711 |
| 30+： | ￥1.698395 |
| 100+： | ￥1.543079 |
| 500+： | ￥1.439535 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.22