AO4435
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- 制造商编号：
- AO4435
- 制造商：
- AOS
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 11A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.401289 | ￥1.40 |
| 10 | ￥1.293497 | ￥12.93 |
| 30 | ￥1.271932 | ￥38.16 |
| 100 | ￥1.20726 | ￥120.73 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
AO4435
制造商
AOS
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 11A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
漏源电压（Vdss）
30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
10.5A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
14mΩ @ 11A,20V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3.1W
类型
P沟道
包装方式
编带
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注
AO4435品牌厂家：AOS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、AO4435
数据手册PDF。
AO4435
型号：AO4435
品牌：AOS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.401289 |
| 10+： | ￥1.293497 |
| 30+： | ￥1.271932 |
| 100+： | ￥1.20726 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.40