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2N5551S-RTK/P

KEC
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制造商编号:
2N5551S-RTK/P
制造商:
KEC
产品类别:
晶体管IGBT
商品描述:
集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V
渠道:
自营

库存 :1645

货期:国内(1~3工作日)

起订量:20

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
20 0.091186 1.82
200 0.085378 17.08
500 0.07957 39.79
1000 0.073762 73.76
3000 0.070858 212.57

规格参数

属性
参数值

制造商型号

2N5551S-RTK/P

制造商

KEC

商品描述

集电极电流Ic:600mA 额定功率:350mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:160V

额定功率

350mW

集电极电流Ic

600mA

集射极击穿电压Vce

160V

晶体管类型

NPN

包装方式

编带

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型号:2N5551S-RTK/P

品牌:KEC

供货:锐单

库存:1645 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

20+: ¥0.091186
200+: ¥0.085378
500+: ¥0.07957
1000+: ¥0.073762
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