GC11N65K
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- 制造商编号：
- GC11N65K
- 制造商：
- GOFORD(谷峰)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道
- 渠道：
- 国内现货自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥5.356355 | ￥13390.89 |
| 5000 | ￥5.154954 | ￥25774.77 |
| 12500 | ￥4.984292 | ￥62303.65 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
GC11N65K
制造商
GOFORD(谷峰)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道
漏源电压（Vdss）
650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
11A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
360mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）
78W(Tc)
类型
N沟道
包装方式
编带
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注
GC11N65K品牌厂家：GOFORD
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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数据手册PDF。
GC11N65K
型号：GC11N65K
品牌：GOFORD
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥5.356355 |
| 5000+： | ￥5.154954 |
| 12500+： | ￥4.984292 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00