LTE-R38386-S
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
LTE-R38386-S
制造商
LOI(建兴公司)
商品描述
EMITTER IR 850NM 1A SMD
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Discontinued at Digi-Key
类型
Infrared (IR)
电流 - DC 正向（If）
1A
不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）
160mW/sr @ 1A
波长
850nm
电压 - 正向（Vf）（典型值）
1.8V
视角
90°
朝向
Top View
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
2-SMD, No Lead Exposed Pad
LTE-R38386-S 同类别型号
注
LTE-R38386-S品牌厂家：LOI
，所属分类： 红外紫外发射器
，可在锐单商城现货采购LTE-R38386-S、查询LTE-R38386-S代理商；
LTE-R38386-S价格批发咨询客服；这里拥有
LTE-R38386-S中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到LTE-R38386-S
替代型号
、LTE-R38386-S
数据手册PDF。
LTE-R38386-S
型号：LTE-R38386-S
品牌：LOI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00