IPB019N08N5ATMA1
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- 制造商编号：
- IPB019N08N5ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 其他
- 商品描述：
- DIFFERENTIATED MOSFETS
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥32.403054 | ￥32403.05 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 99 nC
耗散功率 224 W
通道模式 Enhancement
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 94 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB019N08N5 SP001691928
单位重量 4.675 g
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注
IPB019N08N5ATMA1
型号：IPB019N08N5ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥32.403054 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00