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制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
产品 SiC FET
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 47 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns, 8 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 12 ns, 13 ns
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 37 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 SiC FET
单位重量 4.675 g
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0UF3SC120040B7S
型号:UF3SC120040B7S
品牌:UnitedSiC
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