GP2T080A120U
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥81.315077 | ￥81.32 |
| 10 | ￥73.457589 | ￥734.58 |
| 100 | ￥60.817102 | ￥6081.71 |
| 500 | ￥52.95838 | ￥26479.19 |
| 1000 | ￥46.125037 | ￥46125.04 |
规格参数
关键信息
制造商 SemiQ
商标 SemiQ
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 58 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 6 ns
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
其它
发货限制：
GP2T080A120U 同类别型号
注
GP2T080A120U
型号：GP2T080A120U
品牌：SemiQ
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥81.315077 |
| 10+： | ￥73.457589 |
| 100+： | ￥60.817102 |
| 500+： | ￥52.95838 |
| 1000+： | ￥46.125037 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥81.32