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制造商 UnitedSiC
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 750 V
漏极电流 104 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5.5 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 357 W
通道模式 Depletion
下降时间 9 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0UJ4SC075011K4S
型号:UJ4SC075011K4S
品牌:UnitedSiC
供货:锐单
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