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1+ : 需询价 |
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 47.2 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
下降时间 10 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 60 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
发货限制:
品牌:Transphorm
价格:¥256.634612
品牌:Transphorm
价格:¥87.619247
品牌:Transphorm
价格:¥69.431263
品牌:Transphorm
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0TP65H035G4WSQA
型号:TP65H035G4WSQA
品牌:Transphorm
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