TP65H015G5WS
库存 ：475
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 95 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 276 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 132 ns
典型接通延迟时间 78 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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注
TP65H015G5WS品牌厂家：Transphorm
，所属分类： 未分类
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、TP65H015G5WS
数据手册PDF。
TP65H015G5WS
型号：TP65H015G5WS
品牌：Transphorm
供货：锐单
库存：475 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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