TP65H070LDG-TR
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术类参数
晶体管类型 HEMT
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 650 V
栅源极击穿电压 - 20 V, + 20 V
漏极电流 25 A
耗散功率 96 W
湿度敏感性 Yes
漏源电阻 148 mOhms
栅源极阈值电压 4 V
物理类型
产品种类 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF JFET Transistors
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注
TP65H070LDG-TR品牌厂家：Transphorm
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TP65H070LDG-TR
型号：TP65H070LDG-TR
品牌：Transphorm
供货：锐单
库存：426 MPQ：4000 MOQ：1
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