RM21N650T2

制造商 Rectron

商标 Rectron

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 21 A

漏源电阻 180 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 48 nC

耗散功率 188 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 4.5 ns

正向跨导（Min） 16 S

上升时间 6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 61 ns

典型接通延迟时间 11 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g