UF3C120080B7S

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.2 kV

漏极电流 28.8 A

漏源电阻 85 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 6 V

栅极电荷 23 nC

耗散功率 190 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns, 8 ns

湿度敏感性 Yes

上升时间 7 ns, 6 ns

典型关闭延迟时间 30 ns

典型接通延迟时间 31 ns, 33 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET