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制造商 Transphorm
商标名 SuperGaN
商标 Transphorm
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 560 mOhms
栅极电压 - 18 V, + 18 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 13.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
湿度敏感性 Yes
晶体管类型 HEMT
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TP65H480G4JSG
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0TP65H480G4JSG-TR
型号:TP65H480G4JSG-TR
品牌:Transphorm
供货:锐单
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