UF3C120150B7S

制造商 UnitedSiC

商标名 SiC FET

商标 UnitedSiC

技术 SiC

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.2 kV

漏极电流 17 A

漏源电阻 150 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 4.4 V

栅极电荷 25.7 nC

耗散功率 136 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

湿度敏感性 Yes

上升时间 6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 32 ns

典型接通延迟时间 32 ns

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET