货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1+ : 需询价 |
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 17 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4.4 V
栅极电荷 25.7 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 32 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
购物车
0UF3C120150B7S
型号:UF3C120150B7S
品牌:UnitedSiC
供货:锐单
单价:
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00