GD25Q20ESIGR
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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
系列 -
包装 卷带（TR）
产品状态 在售
技术类参数
存储器格式 闪存
存储器组织 256K x 8
存储器接口 SPI - 四 I/O
最大时钟频率 133 MHz
写周期时间-字，页 70µs，2ms
访问时间 7 ns
电源电压 2.7V ~ 3.6V
规格参数
技术 FLASH - NAND（SLC）
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
物理类型
存储器类型 非易失
其它
存储容量 2Mb
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装 8-SOP
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注
GD25Q20ESIGR品牌厂家：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
，所属分类： 未分类
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替代型号
、GD25Q20ESIGR
数据手册PDF。
GD25Q20ESIGR
型号：GD25Q20ESIGR
品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
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