XP262N70023R-G
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Torex Semiconductor
商标 Torex Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 720 pC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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注
XP262N70023R-G品牌厂家：Torex Semiconductor Ltd
，所属分类： 未分类
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XP262N70023R-G
型号：XP262N70023R-G
品牌：Torex Semiconductor Ltd
供货：锐单
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