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制造商 GaN Systems
商标 GaN Systems
技术 GaN-on-Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 570 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 7 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 800 pC
耗散功率 -
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11.5 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 3 ns
晶体管类型 E-Mode GaN Transistor
典型关闭延迟时间 6.5 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
发货限制:
品牌:GaN systems
价格:¥7684.787734
品牌:GaN systems
价格:¥268.446625
品牌:GaN systems
价格:¥177.007207
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价格:¥19726.711713
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0GS-065-004-1-L-TR
型号:GS-065-004-1-L-TR
品牌:GaN systems
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