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IS66WVH8M8DALL-200B1LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc(芯成)
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制造商编号:
IS66WVH8M8DALL-200B1LI
制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc(芯成)
产品类别:
未分类
商品描述:
DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
渠道:

库存 :360

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起订量:1

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1+ : 需询价

规格参数

关键信息

制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列 -

包装 托盘

产品状态 在售

技术类参数

存储器格式 PSRAM

存储器组织 8M x 8

存储器接口 HyperBus

最大时钟频率 200 MHz

写周期时间-字,页 35ns

访问时间 35 ns

电源电压 1.7V ~ 1.95V

规格参数

技术 PSRAM(伪 SRAM)

工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)

物理类型

存储器类型 易失

其它

存储容量 64Mbit

封装参数

产品安装类型 表面贴装型

封装 24-TBGA

供应商器件封装 24-TFBGA(6x8)

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型号:IS66WVH8M8DALL-200B1LI

品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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