GCMS080B120S1-E1
库存 ：46
货期：（7~10天）
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整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 SemiQ
产品 Power MOSFET Modules
商标 SemiQ
技术类参数
正向电压 1.5 V at 10 A
栅极电压 - 10 V, + 25 V
配置 Single
下降时间 14 ns
漏极电流 30 A
耗散功率 142 W
漏源电阻 77 mOhms
上升时间 4 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 9 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 2 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 COPACK Power Module
安装风格 Screw Mounts
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
GCMS080B120S1-E1 同类别型号
注
GCMS080B120S1-E1
型号：GCMS080B120S1-E1
品牌：SemiQ
供货：锐单
库存：46 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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