2N3738 PBFREE

制造商 Central Semiconductor

商标 Central Semiconductor

晶体管极性 NPN

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 225 V

集电极—基极电压 250 V

发射极 - 基极电压 6 V

饱和电压 2.5 V

耗散功率 20 W

增益带宽产品 10 MHz

集电极连续电流 1 A

直流集电极 40 at 100 mA, 10 V

直流电流增益（Max） 200 at 100 mA, 10 V

技术 Si

产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格 Through Hole

产品类型 BJTs - Bipolar Transistors