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制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 136.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns, 6 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 8 ns, 7 ns
典型关闭延迟时间 25 ns, 26 ns
典型接通延迟时间 25 ns, 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0UF3C065080B7S
型号:UF3C065080B7S
品牌:UnitedSiC
供货:锐单
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