GS-065-008-1-L
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- 制造商编号：
- GS-065-008-1-L
- 制造商：
- GaN systems
- 产品类别：
- 未分类
- 商品描述：
- MOSFET 650V, 8A, GaN E-HEMT, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
- 渠道：
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 GaN Systems
商标 GaN Systems
技术类参数
技术 GaN-on-Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 225 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 7 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 -
通道模式 Enhancement
配置 Single
湿度敏感性 Yes
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 GS-065-008-1-L-MR
单位重量 2.163 g
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注
GS-065-008-1-L品牌厂家：GaN systems
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数据手册PDF。
GS-065-008-1-L
型号：GS-065-008-1-L
品牌：GaN systems
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00