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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 GaN Systems
商标名 GaNPX
商标 GaN Systems
技术 GaN-on-Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 7 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 14.2 nC
耗散功率 -
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 12.4 ns
晶体管类型 E-HEMT Power Transistor
典型关闭延迟时间 14.9 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns
开发套件 GSP65RXXHB-EVB, GSP665x-EVBIMS2
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 GS66516B-E01-MR
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0GS66516B-MR
型号:GS66516B-MR
品牌:GaN systems
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