GS66508B-MR
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- 制造商编号：
- GS66508B-MR
- 制造商：
- GaN systems
- 产品类别：
- 未分类
- 商品描述：
- MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
- 渠道：
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 GaN Systems
商标名 GaNPX
商标 GaN Systems
技术类参数
技术 GaN-on-Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 63 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 7 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 6.1 nC
耗散功率 -
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.2 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 E-HEMT Power Transistor
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
规格参数
开发套件 GS665MB-EVB, GS-EVB-HB-66508B-ON1, GSP665x-EVBIMS2, GS1200BTP-EVB, GSWP300W-EVBPA, GS66508B-EVBDB1
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 GS66508B-E01-MR
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注
GS66508B-MR品牌厂家：GaN systems
，所属分类： 未分类
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替代型号
、GS66508B-MR
数据手册PDF。
GS66508B-MR
型号：GS66508B-MR
品牌：GaN systems
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00