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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 D3 Semiconductor
商标 D3
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 22.2 nC
耗散功率 99 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0D3S280N65B-U
型号:D3S280N65B-U
品牌:D3 Semiconductor
供货:锐单
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