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制造商 Mitsubishi Electric
产品 IGBT Silicon Modules
商标 Mitsubishi Electric
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 3300 V
饱和电压 2.45 V
在25 C的连续集电极电流 1000 A
栅极—射极漏泄电流 0.5 uA
耗散功率 10400 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
产品种类 IGBT 模块
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Modules
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0CM1000HC-66R
型号:CM1000HC-66R
品牌:Mitsubishi Materials U.S.A. Corporation
供货:锐单
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