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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 34 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.8 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 119 W
通道模式 Enhancement
下降时间 10.9 ns
上升时间 11.3 ns
典型关闭延迟时间 88.3 ns
典型接通延迟时间 49.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
发货限制:
品牌:Transphorm
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品牌:Transphorm
价格:¥232.175518
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价格:¥6254.466536
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0TP65H050G4BS
型号:TP65H050G4BS
品牌:Transphorm
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