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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 InterFET
商标 InterFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
配置 Dual
栅源极击穿电压 - 40 V
闸/源截止电压 - 3 V
Vgs=0时的漏-源电流 30 mA
漏源电阻 100 Ohms
耗散功率 650 mW
正向跨导(Min) 7000 uhmo
产品种类 JFET
安装风格 Through Hole
产品类型 JFETs
类型 JFET
单位重量 5.030 g
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0IFN5564
型号:IFN5564
品牌:InterFET
供货:锐单
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