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制造商 Advanced Semiconductor, Inc.
商标 Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏极电流 4.25 A
漏源击穿电压 65 V
工作频率 895 MHz
配置 Single
耗散功率 80 W
栅极电压 15 V
栅源极阈值电压 5 V
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
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0AGR09030EF
型号:AGR09030EF
品牌:Advanced Sensors
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