STPSC2H065B-TR
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|---|---|---|
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
STPSC2H065B-TR
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
650 V, 2 A HIGH SURGE SILICON CA
包装
-
系列
-
零件状态
Active
二极管类型
Silicon Carbide Schottky
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
650V
电流 - 平均整流（Io）
2A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.55V @ 2A
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间（trr）
-
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
20µA @ 650V
不同 Vr，F 时的电容
135pF @ 0V, 1MHz
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
DPAK
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C
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注
STPSC2H065B-TR
型号：STPSC2H065B-TR
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