F1T3GHA0G
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| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
F1T3GHA0G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
包装
Tape & Box (TB)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
200V
电流 - 平均整流（Io）
1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.3V @ 1A
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间（trr）
150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
5µA @ 200V
不同 Vr，F 时的电容
15pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Through Hole
封装/外壳
T-18, Axial
供应商器件封装
TS-1
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
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注
F1T3GHA0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 二极管整流器
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数据手册PDF。
F1T3GHA0G
型号：F1T3GHA0G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
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