1N5407GHB0G
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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
1N5407GHB0G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
包装
Bulk
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
二极管类型
Standard
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
800V
电流 - 平均整流（Io）
3A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1V @ 3A
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间（trr）
-
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
5µA @ 800V
不同 Vr，F 时的电容
25pF @ 4V, 1MHz
安装类型
Through Hole
封装/外壳
DO-201AD, Axial
供应商器件封装
DO-201AD
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
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注
1N5407GHB0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 二极管整流器
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1N5407GHB0G
型号：1N5407GHB0G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
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