MMBT5551LT3G
库存 ：25505
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.294726 | ￥2.29 |
| 10 | ￥1.453326 | ￥14.53 |
| 100 | ￥0.890353 | ￥89.04 |
| 500 | ￥0.645277 | ￥322.64 |
| 1000 | ￥0.565726 | ￥565.73 |
| 2000 | ￥0.498416 | ￥996.83 |
| 5000 | ￥0.425137 | ￥2125.68 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 160 V
集电极—基极电压 180 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 200 mV
最大直流电集电极电流 600 mA
耗散功率 225 mW
增益带宽产品 -
集电极连续电流 0.6 A
直流集电极 80
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
MMBT5551LT3G 同类别型号
注
MMBT5551LT3G品牌厂家：ON
，所属分类： 双极性晶体管
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替代型号
、MMBT5551LT3G
数据手册PDF。
MMBT5551LT3G
型号：MMBT5551LT3G
品牌：ON
供货：锐单
库存：25505 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.294726 |
| 10+： | ￥1.453326 |
| 100+： | ￥0.890353 |
| 500+： | ￥0.645277 |
| 1000+： | ￥0.565726 |
| 2000+： | ￥0.498416 |
| 5000+： | ￥0.425137 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.29