NSS30100LT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.683831 | ￥2051.49 |
| 6000 | ￥0.642434 | ￥3854.60 |
| 15000 | ￥0.600983 | ￥9014.75 |
| 30000 | ￥0.55122 | ￥16536.60 |
| 75000 | ￥0.530495 | ￥39787.13 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) - 30 V
集电极—基极电压 - 50 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 1 A
耗散功率 310 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 - 1 A
技术 Si
外形参数
高度 0.94 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 8 mg
NSS30100LT1G 同类别型号
注
NSS30100LT1G
型号：NSS30100LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.683831 |
| 6000+： | ￥0.642434 |
| 15000+： | ￥0.600983 |
| 30000+： | ￥0.55122 |
| 75000+： | ￥0.530495 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00